肖特基二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）是一种利用金属-半导体结（肖特基结）而非传统PN结进行整流的半导体器件。它在高频开关电源、低压整流和快速开关应用中具有显著优势。以下是其核心整流特性：
1. 极低的正向压降（Vf）
典型值：0.15V~0.45V（硅PN结二极管通常0.6V~1.2V）
原因：肖特基二极管采用金属（如铂、钨、钼）与N型半导体接触，没有PN结的扩散势垒，导通电压更低。
优势：
降低导通损耗，提高电源效率
适合低压大电流应用（如CPU供电、DC-DC转换器）
2. 超快开关速度（几乎无反向恢复时间）
反向恢复时间（trr）极短（<10ns，甚至可忽略不计）
原因：肖特基二极管是多数载流子器件（仅电子参与导电），不像PN结二极管需要清除少数载流子。
优势：
适用于高频开关（MHz级）
减少开关损耗，提高效率（如开关电源、RF整流）
3. 反向漏电流较大
缺点：反向漏电流（Ir）比硅二极管高（尤其在高温下）
原因：金属-半导体结的势垒较低，反向偏置时电子易隧穿。
影响：
不适合高压应用（通常<200V）
高温环境下性能下降明显
4. 耐压能力较低
典型耐压范围：20V~200V（普通整流二极管可达1000V以上）
原因：肖特基势垒高度有限，反向击穿电压较低。
应用限制：
仅适用于低压整流（如5V/12V电源）
高压场合需使用SiC（碳化硅）肖特基二极管
正向压降（Vf）随温度升高而降低（负温度系数）
反向漏电流（Ir）随温度升高急剧增加
影响：
高温环境下可能发生热失控（需加强散热）
不适合高温高反压应用
6. 典型应用
应用场景 优势
开关电源（SMPS）输出整流 低Vf减少损耗
DC-DC转换器 高频高效
CPU/GPU供电电路 低压大电流
高频RF检波/混频 超快开关
太阳能电池旁路二极管 低功耗
7. 与普通PN结二极管对比
特性 肖特基二极管 普通整流二极管
正向压降（Vf） 0.15~0.45V 0.6~1.2V
反向恢复时间（trr） 几乎为0 几十ns~μs级
反向漏电流（Ir） 较大（mA级） 较小（μA级）
耐压（VRRM） 通常<200V 可达数千伏
适用频率 MHz级 kHz级
8. 选型注意事项
耐压选择：确保VRRM > 实际工作电压（留20%~50%余量）
电流能力：IF(AV)需满足需求，避免过热
散热管理：高温下漏电流增加，需优化PCB散热
SiC肖特基二极管：适用于高压（600V+）高温场合
总结
肖特基二极管凭借低导通压降、超快开关速度成为现代高效电源设计的首选，但其耐压低、漏电流大的特点限制了其在高压场景的应用。在低压高频（如DC-DC转换、CPU供电）领域，它的性能远超普通整流二极管。